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    日本NAS技研SC系列:简易高效微量金属污染物回收技术解析

    发布时间: 2025-11-11  点击次数: 23次
    在半导体制造与纳米材料研发等对洁净度有要求的行业中,微量金属污染物(如Cu、Fe、Ni等)的存在会显著影响器件性能与良率。日本有限会社NAS技研(NAS GIKEN)推出的SC系列“简易型微量金属污染物采样/回收设备",凭借模块化、自动化与低耗材设计,已成为晶圆级金属污染监控的主流解决方案。本文从工作原理、系统构成、关键型号对比、应用案例与运维要点五个方面,对该技术进行系统解析。
    一、技术原理:表面张力限域+选择性液膜萃取
    1. 液膜形成:设备通过微缝支架将<50 μL的萃取液(通常为稀HF/HNO₃或螯合剂)固定在晶圆边缘,利用表面张力形成稳定液膜,避免传统旋转喷淋带来的液滴飞溅与交叉污染。
    2. 接触萃取:晶圆以0.5–2 rpm低速旋转,仅让斜角(bevel)或指定环形区域与液膜接触,金属污染物被快速络合或氧化溶解;通过调整旋转角度与液膜厚度,可将采样深度控制在纳米级。
    3. 在线回收:萃取完成后,微量液体被自动吸入PEEK毛细管,经氮气吹扫与稀释模块直接进入ICP-MS或TXRF样品瓶,全程密闭,回收率>95%,检出限低至10⁸ atoms/cm²。
    二、系统构成与自动化流程
    SC系列采用“PC+PLC"双控架构,可一键完成以下步骤:
    ① 晶圆装载(真空吸盘+对中CCD)→② 萃取液定量供给(注射泵±0.1 μL)→③ 旋转/扫描模式调用(环形/扇形/定点/斜角)→④ 液膜回收与在线稀释→⑤ 支架与管路自动清洗(WFI+氮气吹扫)。
    整机外形约690×550×790 mm,重55 kg,仅需100–240 VAC、纯水和氮气,无需排风改造,可在普通洁净间直接使用。
    三、型号对比与技术演进
    表格
    型号上市年份晶圆兼容性采样模式自动化等级典型应用
    SC-31002018Si/疏水表面环形、扇形、定点半自动(支架手动)8″以下硅片日常监控
    SC-81002020Si、SiC、蓝宝石、粗糙亲水片上述+斜角手动供液/自动回收功率器件、LED外延片
    SC-91002022同SC-8100上述+矩形扫描全自动(液路+支架)7 nm以下FinFET、GAA工艺
    SC-92002024同SC-9100增加“边缘复原"功能全自动+AI异常识别3 nm、CFET、3D-NAND、DRAM
    SC-9200新增“斜角复原+亲水性恢复"双模块:先用臭氧微等离子体去除bevel聚合物,再经CO₂超临界干燥恢复表面疏水,确保多次采样重复性<3 %。
    四、应用案例与效益评估
    1. 7 nm逻辑厂:将SC-9100嵌入MES系统,每批wafer抽检2片,采样时间由传统全片萃取30 min缩短至6 min,年节省化学品>200 L,Fab整体金属污染 excursion 降低42 %。
    2. 功率IDM:对SiC MOSFET产线,采用SC-8100斜角模式监控Ti/Ni残迹,提前发现PVD腔体电弧异常,单批次挽回损失约15万美元。
    3. 研发机构:利用SC-9200的矩形扫描功能,定位3D-NAND深孔刻蚀后Fe污染热点,配合TOF-SIMS实现“nm级污染源追溯",缩短研发周期2周。
    五、运维要点与展望
    • 耗材管理:萃取液每周更换,PEEK毛细管3个月更换一次,运行成本约0.8 $/wafer。
    • 数据追溯:设备日志与PC端LabVIEW平台对接,可直接输出SEMI E133格式XML,便于FDC系统关联。
    • 展望:NAS技研正在开发“SC-9300",拟集成在线预浓缩(micro-column)与ICP-MS联机,实现“采样-检测-报告"全自动化,预计2026年发布。
    结语
    SC系列通过“微量液膜+精密旋转"核心,把传统数十毫升的湿法萃取缩减到微升级,兼顾了速度、灵敏度与低成本,已成为先进制程金属污染监控的标准工具。随着3 nm以下节点及3D器件的加速量产,SC系列有望进一步向“全自动化、在线化、多元素同步检测"方向演进,为半导体制造提供更高层级的质量保障。


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