一、Ceramic Forum HERA FT1230 DLTS 半导体深能级瞬态谱分析系统 产品基础信息
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 品牌型号 | Ceramic Forum HERA FT1230 DLTS半导体分析装置 |
| 核心技术 | 深能级瞬态谱（DLTS）测试技术，表征半导体内部载流子陷阱类深能级缺陷 |
| 核心用途 | 测量缺陷能级、浓度、载流子俘获截面，支撑半导体工艺优化、器件可靠性研发 |
| 典型应用 | SiC/GaN功率器件、LED外延片、硅基集成电路缺陷检测，高校半导体科研实验 |
二、核心规格参数
| 参数项 | 规格说明 |
|---|---|
| 温控系统 | FT系列精密变温腔体，可宽温区扫描，可选液氮制冷拓展更低测试温度 |
| 电气模块 | 可编程脉冲偏置源、高灵敏度微弱电流放大器，采集纳安级瞬态电流信号 |
| 适配试样 | 硅、碳化硅、氮化镓等材料制备的PN二极管、肖特基二极管结构样品 |
| 软件功能 | 自动采集谱图、分峰拟合、输出缺陷参数、归档导出测试报告 |
| 可选拓展 | TSC热激电流、光激发DLTS、外置探针台、低温制冷升级组件 |
三、产品核心特点
1.定量解析缺陷电学属性，弥补形貌检测的短板
光学位错仪只能观察晶格外观缺陷，本设备可测得缺陷对载流子的捕获能力，量化缺陷对器件漏电、寿命的影响，精准定位制程问题。
2.一体化集成，降低搭建测试系统成本
温控、供电、信号采集、分析软件成套交付，无需自行搭配零散仪器，可快速投入测试使用。
3.适配第三代宽禁带半导体研发
硬件针对SiC、GaN优化，满足新能源功率半导体、射频芯片前沿研发的检测需求。
4.丰富拓展测试模式
可拓展热激电流、光激发DLTS等测试项目，单台设备覆盖多元科研、工艺验证场景。
四、Ceramic Forum HERA FT1230 DLTS 半导体深能级瞬态谱分析系统 适用行业场景
功率半导体：SiC、GaN器件缺陷检测，优化离子注入、退火工艺；
光电器件：LED、激光管外延层非辐射复合缺陷表征；
高校科研：半导体缺陷机理相关课题实验。
