一、日本 INTECS（株式会社インテックス）WEMS 晶圆边缘多尺度分析仪 商品基础基本信息
| 项目 | 详细内容 |
|---|---|
| 品牌全称 | INTECS（株式会社インテックス，日本INTECS） |
| 完整商品名称 | WEMS 晶圆边缘多尺度分析仪 |
| 产品别名 | 半导体硅片边缘轮廓多尺度测量设备、晶圆崩缺/倒角精密光学分析仪、Wafer边缘细微缺陷多维度检测装置、8/12寸硅片边缘几何形貌测量仪 |
| 产品型号 | WEMS |
| 产品分类 | 半导体晶圆边缘多尺度精密光学形貌分析设备、硅片边缘崩缺倒角几何尺寸测量装置、晶圆边缘微观缺陷多维度检测仪器 |
| 适用行业 | 半导体晶圆制造工厂、硅片加工研磨车间、微电子材料研发实验室、集成电路芯片封装企业、第三方半导体硅片精密检测机构 |
| 适配测试试样 | 8英寸、12英寸标准半导体单晶硅晶圆、各类超薄抛光硅片、刻蚀加工硅片、研磨倒角硅片 |
| 出厂标准配置 | WEMS主机精密光学检测平台、高精度多尺度光学传感成像模组、伺服晶圆自动旋转升降定位工装、工业触控操作终端、配套专业晶圆边缘多尺度分析电脑、原厂标准硅片轮廓校准标样、设备操作说明书、晶圆边缘轮廓/缺陷数据分析软件、出厂边缘几何尺寸、多尺度成像精度计量校准报告 |
| 可选拓展配件 | 多规格适配工装（8寸/12寸切换）、高低温恒温晶圆测试腔体组件、多路并行多工位晶圆自动传送模组、上位机批量晶圆数据自动导出软件、远程PLC工厂MES通讯对接模块、偏振光学滤波拓展组件、超高分辨率微观成像拓展镜头 |
二、商品核心关键词
标题关键词：INTECS WEMS晶圆边缘多尺度分析仪、8/12寸硅片边缘轮廓精密测量设备
用途关键词：半导体晶圆崩缺倒角几何形貌检测、硅片边缘微观缺陷多维度分析
功能关键词：多尺度分层光学成像、伺服晶圆自动旋转定位、边缘轮廓/崩缺尺寸全自动解析
款式/材质关键词：台式紧凑型半导体精密检测设备、高刚性减震合金光学平台、无尘车间专用防静电机身
扩展关键词：半导体晶圆制造工艺研发、硅片出厂边缘缺陷质检专用设备
三、产品简介
日本INTECS（株式会社インテックス）WEMS晶圆边缘多尺度分析仪，是半导体行业专用8/12英寸硅片晶圆边缘多尺度精密光学形貌、缺陷分析设备，采用多尺度分层光学成像技术，可同步实现宏观整体轮廓、微观局部细微缺陷两种尺度同步采集，全自动完成晶圆外缘倒角轮廓、边缘崩缺尺寸、边缘微小凹凸、划痕、研磨瑕疵等几何参数与缺陷识别。
设备搭载高精度多尺度复合光学成像传感模组，配套闭环伺服自动旋转升降晶圆定位工装，可自动抓取、水平360°旋转、垂直升降硅片，无需人工手动夹持；多尺度光学系统可一键切换大范围全局轮廓扫描、局部超高分辨率微观放大成像两种模式，同步采集完整晶圆边缘全周几何曲线与任意局部微观缺陷形貌；整机配套工业触控终端与专业晶圆分析电脑，可自定义多段式旋转扫描速度、成像放大倍率、分段采集点位密度全自动测试工艺，设备本地自动存储全部晶圆边缘轮廓、缺陷原始成像数据，生成标准化晶圆边缘几何尺寸报表、崩缺缺陷分布图、多尺度成像对比曲线。
出厂完成晶圆边缘几何尺寸测量重复精度、多尺度光学成像分辨率、伺服晶圆定位重复精度全项光学计量校准，满足半导体晶圆研磨加工车间、硅片制造企业出厂质检、微电子材料研发实验室的硅片边缘倒角轮廓、崩缺、微观缺陷多维度精密检测需求，是8/12英寸标准半导体晶圆制造工艺研发、成品出厂质检行业标准多尺度边缘分析设备。
四、核心工作原理
1. 多尺度分层复合光学成像基础原理：设备内置双光路复合光学传感系统，一套光路负责低倍率全局大范围扫描，获取晶圆外缘完整360°宏观轮廓曲线；另一套高倍率微观成像光路，可自动切换至任意边缘局部区域，实现超高分辨率微观形貌成像；两套光路同步采集，一次装夹即可同时得到整圈边缘几何轮廓与局部细微缺陷微观图像，完成多维度多尺度综合分析。
2. 闭环伺服晶圆自动定位旋转原理：独立闭环伺服垂直升降+水平360°旋转驱动模组，配套专用防静电真空硅片吸附工装；设备自动完成硅片上料、垂直升降对焦、水平匀速旋转扫描、下料全流程自动化，旋转角度、升降高度、扫描运行速度均可触控数字化精准设定，闭环实时反馈硅片旋转位置，定位重复精度高，消除人工夹持带来的定位偏差。
3. 晶圆边缘几何轮廓自动解析原理：全局低倍率光路采集完整晶圆外缘坐标曲线，软件自动拟合标准圆形基准，计算晶圆边缘倒角角度、倒角宽度、整体圆度、边缘最大最小径向轮廓偏差；针对局部微观高倍率图像，软件自动识别边缘崩缺、微小凹坑、划痕、研磨凹凸瑕疵，自动测量崩缺长度、深度、缺陷面积等缺陷几何尺寸参数。
4. 多尺度成像数据综合存储分析原理：设备本地大容量存储单元自动保存每一片晶圆完整全周宏观轮廓坐标、多组局部微观缺陷成像原图、对应旋转角度、扫描时间、成像倍率全部原始数据；配套专业晶圆分析软件可一键生成批量晶圆几何尺寸统计报表、崩缺缺陷分布热力图、宏观-微观多尺度成像对比曲线，直观判定单片/整批硅片边缘各项参数是否符合工艺标准公差要求。
