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H-01 Bridgman 单晶结晶育成装置

H-01 Bridgman 单晶结晶育成装置

更新日期:2026-07-28

访问量:4

厂商性质:经销商

生产地址:日本

简要描述:
日本 C&A 株式会社 H-01 Bridgman 单晶结晶育成装置,是**科研实验室专用垂直梯度凝固(Bridgman 布里奇曼法)单晶生长设备**,依托经典 Bridgman 下降法晶体生长原理设计,面向红外光学、热电半导体、非线性激光晶体、特种功能梯度晶体的新材料基础科研、小批量试样制备场景。

一、日本 C&A 株式会社 H-01 Bridgman 单晶结晶育成装置 商品基础基本信息

项目详细内容
品牌全称C&A Corporation(日本C&A株式会社)
完整商品名称H-01 Bridgman单晶结晶育成装置
产品别名H-01布里奇曼晶体生长炉、垂直梯度凝固Bridgman单晶炉、实验室高温梯度结晶培育设备、半导体/激光晶体下降法单晶生长装置
产品型号H-01
产品分类Bridgman垂直梯度凝固单晶炉、高温梯度控温晶体育成设备、射频感应加热实验室晶体生长装置
适用行业高校材料学院、光电激光晶体实验室、宽禁带化合物半导体研发企业、特种红外功能材料研究所、新型热电晶体科研实验室
适配加工材料红外光学晶体、热电半导体晶体、非线性激光晶体、卤化物单晶、宽禁带氧化物半导体、特种功能梯度晶体
出厂标准配置H-01 Bridgman单晶炉立式主机、30kW射频感应加热电源、分段式梯度高温炉管、高精度伺服垂直下降提拉模组、多点分布式热电偶梯度温控系统、工业彩色触控操作台、闭环水冷循环机组、原厂耐高温Bridgman专用坩埚、全套Bridgman晶体生长工艺手册、设备安装施工说明书、出厂梯度温场均匀性/下降位移精度计量校准报告
可选拓展配件全自动真空分子泵机组、多路惰性气氛供气模组、晶体直径光学实时监测模块、上位机晶体生长曲线数据采集软件、耐腐蚀特种高温坩埚、炉内挥发杂质过滤净化组件、自动化坩埚夹持更换工装

二、商品核心关键词

标题关键词:C&A H-01 Bridgman单晶育成装置、实验室布里奇曼晶体生长炉、梯度高温下降法单晶设备

用途关键词:红外激光单晶制备、热电半导体晶体研发

功能关键词:分段梯度精准控温、伺服匀速垂直下降、射频高温加热

款式/材质关键词:立式一体化实验室炉体、耐高温合金密封炉管

扩展关键词:全自动分段生长曲线、科研小批量梯度单晶制备

三、产品简介

日本C&A株式会社H-01 Bridgman单晶结晶育成装置,是科研实验室专用垂直梯度凝固(Bridgman布里奇曼法)单晶生长设备,依托经典Bridgman下降法晶体生长原理设计,面向红外光学、热电半导体、非线性激光晶体、特种功能梯度晶体的新材料基础科研、小批量试样制备场景。

设备搭载30kW大功率射频感应加热系统,炉管采用多段分区独立温控结构,可构建长区间精准可控的纵向温度梯度;配备高精度闭环伺服垂直下降模组,坩埚匀速下降速度、行程微米级数字化精准调控;整机密封承压炉管,支持高真空、惰性保护气氛双工况生长环境,适配各类易挥发、易氧化、特种功能单晶材料的定向梯度结晶培育。

设备配套工业彩色触控交互系统,可自定义多段式升温、保温、梯度熔融、匀速下降结晶、收尾降温全自动工艺曲线,实时采集存储炉内多点温度、坩埚下降位移、射频功率、真空/气氛压力全流程工艺数据;出厂完成分段梯度温场均匀性、下降重复位移精度、真空密封性全项计量校准,满足高校材料重点实验室、光电激光晶体研发中心、热电半导体新材料企业、特种红外功能材料研究所的新型梯度单晶试样制备、新材料生长工艺迭代研发需求,是Bridgman垂直梯度凝固法晶体前沿科研核心工艺设备。

四、日本 C&A 株式会社 H-01 Bridgman 单晶结晶育成装置 核心工作原理

1. Bridgman垂直梯度凝固基础原理:将晶体原料装填至耐高温坩埚,设备分段加热区使坩埚内原料熔融;炉管内部构建稳定纵向温度梯度,坩埚由伺服机构匀速向下缓慢下降,熔体穿过固液界面温场梯度区域,沿坩埚底部籽晶有序定向凝固,生长出完整梯度单晶。

2. 多段分区射频梯度加热原理:搭载30kW射频感应加热电源,炉管分为上、中、下多段独立温控加热区;多点分布式热电偶实时采集各段温度,PID闭环独立调节每段射频输出功率,精准构建长区间线性可控高温梯度,避免温场突变造成晶体内部缺陷。

3. 高精度伺服垂直下降闭环传动原理:独立伺服驱动垂直升降模组,滚珠丝杠闭环位移反馈,坩埚下降运行速度、总行程全部触控数字化设定,微米级位移重复定位精度;全程匀速平稳下降,保证固液界面移动速率恒定,稳定控制单晶生长速率、结晶完整性。

4. 密封炉管真空/气氛双工况原理:耐高温合金全密封承压炉管,预留大口径真空抽气法兰、多路惰性气体进气接口;可搭配分子泵机组抽取高真空,也可通入Ar/N₂惰性保护气氛隔绝空气氧化熔体,适配易挥发、易氧化、高活性特种晶体原料。


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