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0-01 u-PD 单晶结晶育成装置

0-01 u-PD 单晶结晶育成装置

更新日期:2026-07-28

访问量:7

厂商性质:经销商

生产地址:日本

简要描述:
日本 C&A 株式会社 0-01 u-PD 单晶结晶育成装置,是**科研实验室专用微型单晶提拉生长设备**,面向第三代宽禁带半导体、光学功能单晶研发场景设计。设备搭载 30kW 射频感应加热系统,可实现超高稳定高温温场;配备高精度闭环提拉传动模组,提拉速度、行程微米级精准调控;整机密闭承压气氛腔体,可通入氩气、氮气等保护气氛,适配 SiC、GaN、氧化物光学单晶等多种特种晶体的定向结晶培育。

一、日本 C&A 株式会社 0-01 u-PD 单晶结晶育成装置 商品基础基本信息

项目详细内容
品牌全称C&A Corporation(日本C&A株式会社)
完整商品名称0-01 u-PD单晶结晶育成装置
产品别名u-PD微型单晶生长炉、半导体晶体提拉育成设备、高温单晶结晶培育炉
产品型号0-01
产品分类半导体晶体制造设备、单晶提拉结晶炉、高温材料晶体育成装置
适用行业半导体研发、光电单晶材料实验室、高校材料学院、化合物半导体企业、光学晶体科研实验室
适配加工材料碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化物光学单晶、宽禁带半导体晶体、特种功能单晶材料
出厂标准配置0-01 u-PD单晶育成主机、高精度提拉传动模组、30kW射频加热电源、密闭气氛腔体、高精度温度控制系统、人机交互触控操作台、原厂晶体生长工艺调试手册、设备安装施工说明书、出厂温场/提拉精度检测校准报告
可选拓展配件多组分气氛供气模组、真空分子泵机组、晶体直径实时监测模块、上位机生长曲线数据采集软件、水冷循环机组、耐腐蚀高温坩埚套件

二、商品核心关键词

标题关键词:C&A 0-01 u-PD单晶结晶育成装置、实验室单晶提拉生长炉、半导体晶体育成设备

用途关键词:实验室半导体单晶生长、光电晶体材料育成

功能关键词:高精度晶体提拉、30kW射频高温加热、密闭气氛控温

款式/材质关键词:立式一体化工业炉体、耐高温合金腔体

扩展关键词:全自动温场控制、科研级单晶制备设备

三、产品简介

日本C&A株式会社0-01 u-PD单晶结晶育成装置,是科研实验室专用微型单晶提拉生长设备,面向第三代宽禁带半导体、光学功能单晶研发场景设计。设备搭载30kW射频感应加热系统,可实现超高稳定高温温场;配备高精度闭环提拉传动模组,提拉速度、行程微米级精准调控;整机密闭承压气氛腔体,可通入氩气、氮气等保护气氛,适配SiC、GaN、氧化物光学单晶等多种特种晶体的定向结晶培育。

设备配套独立触控人机交互系统,全流程自动化设置生长温区、提拉曲线、气氛压力参数,实时采集存储晶体生长全过程温度、位移、功率数据;出厂完成高精度温场均匀性、提拉重复精度计量校准,满足高校材料实验室、半导体企业研发中心、光电材料科研机构的单晶样品制备、新材料晶体工艺研发需求,是第三代半导体、光学单晶前沿科研核心工艺设备。

四、日本 C&A 株式会社 0-01 u-PD 单晶结晶育成装置 核心工作原理

1. 射频感应高温加热原理:搭载30kW大功率射频电源,通过电磁感应对坩埚内原料进行快速升温熔融,构建均匀、稳定、梯度可控的高温温场,满足单晶原料熔融、定向结晶的温度条件。

2. 微米级闭环提拉结晶原理:高精度伺服提拉传动模组,采用闭环位移反馈控制,提拉升降速度、位移、旋转转速均可数字化精准设定;籽晶夹持装置缓慢提拉熔融液面,在温场梯度作用下,熔体沿籽晶定向有序析出,生长完整单晶。

3. 密闭气氛保护腔体原理:整机全密封承压炉腔,可接入惰性保护气氛(Ar/N₂),隔绝空气氧化高温熔体;可选真空机组实现高真空环境,适配易氧化、易挥发特种半导体单晶生长。


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